飘天文学>你若开挂，金钱自来 > 第423章 任重道远碳基芯片（第2页）
第423章 任重道远碳基芯片（第2页）
“呵呵，我哪里知道稳态微聚束哦，是研究院的研究人员吃饭时随口聊出来的。”常乐摇头笑道。
“是这样啊，之前我也特意了解过这个概念，个人观点是理论上可行……”梁青松说道：
“但是要从理论走到实践层面，还有问题需要克服，耗费的时间不会比EUV光刻机短。”
“不过，如果能持续研发下去，不失为一种更高层次的工业化大生产方式。”
简而言之，就是理论美好，实践残酷。
“半导体芯片就只有硅基这一条路可以走吗？”常乐又问。
“也不是，碳基芯片就是一个很不错的新的方向。”梁青松说。
碳基芯片就是以碳纳米管、石墨烯等材料制作的芯片。
学界已经有共识。
碳基芯片，理论上，它的电子迁移性能是硅基芯片的1000倍。
有更高的传输效率，更低的成本，更低的功耗。
“碳基芯片有很大可能会替代硅基芯片。”梁青松解释道：
“根据理论界的预计，硅基芯片的极限是1纳米。”
“再往下就会出现量子隧穿效应，导致通常所说的摩尔定律失效。”
量子隧穿效应，即电子失控乱窜，芯片失效。
“架构方面，也会出现冯诺依曼的内存墙现象。”
内存墙，即内存跟不上芯片节奏，化身一堵墙，拖累芯片性能。
“所以现在很多研究机构已经将注意力转移到碳基芯片上来。”
“从材料本身来看，碳基材料要比硅基材料更有潜力，它有更低的极限、更优的性能和更低的功耗。”
“90纳米工艺的碳基芯片，其性能基本等同于硅基芯片；”
“而采用28纳米工艺的碳基芯片，等同于甚至超越7纳米工艺的硅基芯片……”
“因此，从恒定工艺角度来思考，碳基芯片确实不那么依赖光刻机。”
“但是……”梁青松话锋一转：
“一旦碳基芯片进入更小的工艺节点，譬如7纳米、5纳米，那么它对光刻机的精度要求会更高，因为碳基晶圆要比硅基晶圆小很多。”
“而且，碳纳米管提纯的难度，要比硅提纯的难度要大很多。”
“只有纯度在6个9以上的晶圆才能用于芯片制造。”
6个9，即99.%。
“目前，只有一些实验室里，利用碳纳米管做过一些中等规模的集成电路，距离芯片级的超大规模集成电路还很遥远。”
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